RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
36
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.3
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
36
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
21.3
Скорость записи, Гб/сек
9.5
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3610
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link