RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3610
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link