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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

总分
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

总分
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB 需要考虑的原因
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    43 left arrow 55
    左右 22% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 9.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 55
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 9.3
  • 写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 7.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2322 left arrow 2078

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB RAM的比较

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内存RAM
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Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
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内存RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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内存RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
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内存RAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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