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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
比较
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
总分
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
总分
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
86
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
86
读取速度,GB/s
13.9
13.5
写入速度,GB/s
8.4
6.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
1469
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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