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Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
比较
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
总分
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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规格
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Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
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Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
70
左右 -204% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
6.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
3.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
23
读取速度,GB/s
6.5
19.9
写入速度,GB/s
3.4
16.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3832
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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