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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
15.0
18.3
写入速度,GB/s
10.1
14.9
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3414
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
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