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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
11.2
14.2
写入速度,GB/s
8.1
8.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2909
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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