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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
比较
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
总分
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
总分
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
57
左右 54% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
57
读取速度,GB/s
14.2
19.1
写入速度,GB/s
8.5
10.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2277
2377
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB RAM的比较
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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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