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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
15.0
13.8
写入速度,GB/s
10.1
6.5
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
1983
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
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