SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15 left arrow 13.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 6.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 19200
    Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    24 left arrow 36
    Wokół strony -50% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    36 left arrow 24
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.0 left arrow 13.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 6.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2657 left arrow 1983
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania