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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
比较
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
总分
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
11.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
29
读取速度,GB/s
15.6
18.4
写入速度,GB/s
11.1
11.7
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2792
3030
Kingston 9905702-010.A00G 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
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