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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
比较
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
35
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
35
读取速度,GB/s
15.6
15.7
写入速度,GB/s
11.1
11.8
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2792
2767
Kingston 9905702-010.A00G 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
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