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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
45
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12
6.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
8500
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
31
45
读取速度,GB/s
6.6
12.0
写入速度,GB/s
3.6
7.8
内存带宽,mbps
8500
12800
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
921
1939
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-102.A00G 32GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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