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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
比较
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
总分
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
42
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
21
读取速度,GB/s
6.4
19.1
写入速度,GB/s
6.7
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1632
3264
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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