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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
比较
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Kingston 9905664-010.A00G 4GB
总分
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
6.4
13.9
写入速度,GB/s
6.7
9.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1632
1944
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
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