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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
58
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.7
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
58
读取速度,GB/s
6.4
9.7
写入速度,GB/s
6.7
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1632
2172
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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