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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
42
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
24
读取速度,GB/s
6.4
15.8
写入速度,GB/s
6.7
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1632
2761
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB RAM的比较
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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