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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
总分
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
9.1
19.0
写入速度,GB/s
9.9
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2279
3435
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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