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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9965600-033.A00G 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
8.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
40
读取速度,GB/s
13.8
8.8
写入速度,GB/s
8.4
6.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1777
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
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