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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
比较
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
总分
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
差异
规格
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
33
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
18
读取速度,GB/s
9.1
20.9
写入速度,GB/s
9.9
16.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2279
3609
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kllisre 0000 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
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