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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
比较
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
总分
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
36
读取速度,GB/s
9.1
15.8
写入速度,GB/s
9.9
11.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2279
2417
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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