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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
49
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
35
读取速度,GB/s
10.2
13.7
写入速度,GB/s
8.1
9.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2636
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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