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Kingston 9965426-088.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

Kingston 9965426-088.A00LF 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

总分
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Kingston 9965426-088.A00LF 4GB

Kingston 9965426-088.A00LF 4GB

总分
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Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9965426-088.A00LF 4GB 需要考虑的原因
Kingston 9965426-088.A00LF 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 53
    左右 34% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    10.4 left arrow 8.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9965426-088.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    35 left arrow 53
  • 读取速度，GB/s
    8.3 left arrow 10.4
  • 写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 7.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1934 left arrow 2333

Kingston 9965426-088.A00LF 4GB RAM的比较

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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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内存RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
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内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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