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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
61
左右 57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
61
读取速度,GB/s
13.9
8.2
写入速度,GB/s
9.5
6.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
1813
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
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