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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
比较
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
总分
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
62
左右 47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
62
读取速度,GB/s
9.1
16.7
写入速度,GB/s
9.9
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2279
1808
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
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