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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
69
左右 61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
69
读取速度,GB/s
13.2
16.2
写入速度,GB/s
8.6
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
1980
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
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