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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.2
17.6
写入速度,GB/s
8.6
12.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2460
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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