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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
差异
规格
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Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.2
14.7
写入速度,GB/s
8.6
11.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3007
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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