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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.2
17.0
写入速度,GB/s
8.6
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3690
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
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