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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
13.2
13.3
写入速度,GB/s
8.6
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2277
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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