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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.2
17.2
写入速度,GB/s
8.6
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3090
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
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