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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Kingston KMKYF9-MIH 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
13
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
37
读取速度,GB/s
13.2
13.0
写入速度,GB/s
8.6
9.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2187
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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