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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.2
13.5
写入速度,GB/s
8.6
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2157
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
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