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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.2
13.8
写入速度,GB/s
8.6
6.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
1844
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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