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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 54% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
59
读取速度,GB/s
13.2
17.3
写入速度,GB/s
8.6
7.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
1954
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
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