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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Kingston 9905678-058.A00G 4GB
总分
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
总分
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
30
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
22
读取速度,GB/s
9.8
17.5
写入速度,GB/s
6.4
12.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1927
2709
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB RAM的比较
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Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
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