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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
4,217.2
17.8
写入速度,GB/s
1,857.7
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3573
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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