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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
比较
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
总分
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
总分
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
95
左右 72% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
95
读取速度,GB/s
13.3
15.8
写入速度,GB/s
9.1
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
1518
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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