RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Gesamtnote
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
95
Rund um 72% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
95
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2324
1518
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link