RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Compara
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
95
En 72% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
95
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2324
1518
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link