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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
51
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
35
读取速度,GB/s
9.8
16.7
写入速度,GB/s
8.1
12.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2933
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB RAM的比较
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
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