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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
比较
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
总分
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
总分
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
48
70
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
6.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
4.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
48
读取速度,GB/s
6.5
14.5
写入速度,GB/s
4.6
11.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1264
2220
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
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