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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
比较
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
总分
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
70
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
6.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
4.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
39
读取速度,GB/s
6.5
15.1
写入速度,GB/s
4.6
12.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1264
3000
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
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