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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
69
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
42
读取速度,GB/s
6.4
14.0
写入速度,GB/s
3.7
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
2998
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
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Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
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