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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
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Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
6.4
19.8
写入速度,GB/s
3.7
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
3687
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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