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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
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规格
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G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
6.4
17.6
写入速度,GB/s
3.7
15.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
3728
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1333 CL9 4GB
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