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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Kingston 9905700-011.A00G 8GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
6.4
15.2
写入速度,GB/s
3.7
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
2538
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
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