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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
9.3
14.9
写入速度,GB/s
5.9
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2613
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
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