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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Kingston 9965589-035.D00G 16GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
差异
规格
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston 9965589-035.D00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
69
左右 -92% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.0
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
36
读取速度,GB/s
6.4
10.0
写入速度,GB/s
3.7
6.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
1878
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
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Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
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