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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
差异
规格
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
69
左右 -146% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
28
读取速度,GB/s
6.4
14.0
写入速度,GB/s
3.7
7.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
2663
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
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